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▒ 日 히다찌와 르네사스테크놀로지는 차세대 메모리로서 유망한 상변화 메모리(PRAM)를
저전력 동작과 안정적으로 제조할 수 있는 셀 기술을 공동으로 개발
- 새로운 타입의 메모리 PRAM의 구동 전력을 기존의 1/10로 감소시키는 기술 개발
- 개발 배경
ㆍPRAM의 실용화에 있어서 기록 時, 전류의 크기나 기록층과 절연막의 접착 유지 等이 과제로 있었음
ㆍ전류의 저감을 위해 산소 원자와 질소 원자의 혼입방법도 검토했으나, 기록층이 쉽게 벗겨지는 等의
문제가 있었음
※ PRAM : 안정된 상변화 특성의 저항재료를 이용한 비휘발성 메모리로 기록층을 가열·냉각함에 따라 변하는
결정구조를 이용하여 기록
▒ 전극으로부터의 방열을 막아 기록 시, 고효율화
- 기록이 되는 상변화막과 절연막 間에 새로운 박막 삽입으로 구동전력을 기존의 1/10로 감소
ㆍ2~3nm의 탄탈륨 산화물층을 사이에 두는 신구조 고안
ㆍ상변화막에 정보 기입 時, 열 발산을 억제하게 됨에 따라 온도가 급상승하여
상변화가 일어날 때까지 전력이 저감됨
(기록에 필요한 전류를 기존의 수 ㎃에서 수 백㎂로 억제)
- 탄탈륨 산화물층의 형성을 최적화하여, 절연막과 접착성 향상
ㆍ제조 공정 中, 상변화막이 벗겨지는 기존의 결점 개선 및 메모리의 수정 특성을 결정하는
저항값의 불균일도 억제
▒ 향후 계획
- PRAM을 내장한 혼재 플래쉬 메모리로서 2010年 실용화 목표
<출처> 일경산업신문(日), 2006. 12. 13
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