▒ 배경
- 초소형 IC는 치수가 작기 때문에 IC의 겉과 속을 구별하여 안테나에 붙이는 작업에
비용이 많이 소요됨
ㆍ안테나와 접속하기 위한 전극을 IC 양면에 붙임으로서
세밀하게 방향이나 위치 조정이 불필요하게 하였음
▒ 日 히다찌제작소와 르네사스테크놀로지는 ISSCC 2007에서
크기 0.05㎜×0.05㎜×5㎛의 RFID 태그용 IC를 발표
- SOI 기판을 사용, 90㎚ 룰의 CMOS 기술로 제조
ㆍ3층의 메탈 배선층을 갖추고 있으며, 치수 21㎛×32㎛의 128b 메모리탑재
- 메모리 부분의 리소그래피는 전자빔을 이용하고,
1매의 웨이퍼로 400만 개의 IC를 만듦으로써 저가화 가능
- 별도 외장(外裝) 안테나에 붙여서 이용
ㆍ2.45㎓의 주파수로 무선 태그 리더와 통신
ㆍ통신 거리는 최대 300㎜, 통신 時 소비전력은 1㎽ 미만
▒ 향후 계획
- 향후, 제조기술을 65㎚ 룰, 나아가 23㎚ 룰까지 미세화하여 12㎛×12㎛의 IC를 만들 계획
<출처> Nikkei Electronics(日), 2007. 2.
PhysOrg(美), February 23, 2007
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